Պրոֆեսիոնալ տեսանկյունից չիպի արտադրության գործընթացը չափազանց բարդ է և հոգնեցուցիչ:Այնուամենայնիվ, IC-ի ամբողջական արդյունաբերական շղթայից այն հիմնականում բաժանվում է չորս մասի՝ IC-ի նախագծում → IC-ի արտադրություն → փաթեթավորում → փորձարկում։
Չիփերի արտադրության գործընթացը.
1. Չիպերի դիզայն
Չիպը փոքր ծավալով, բայց չափազանց բարձր ճշգրտությամբ արտադրանք է:Չիպ պատրաստելու համար դիզայնը առաջին մասն է:Դիզայնը պահանջում է EDA գործիքի և որոշ IP միջուկների միջոցով մշակման համար անհրաժեշտ չիպերի դիզայնի չիպային դիզայնի օգնությունը:
Չիփերի արտադրության գործընթացը.
1. Չիպերի դիզայն
Չիպը փոքր ծավալով, բայց չափազանց բարձր ճշգրտությամբ արտադրանք է:Չիպ պատրաստելու համար դիզայնը առաջին մասն է:Դիզայնը պահանջում է EDA գործիքի և որոշ IP միջուկների միջոցով մշակման համար անհրաժեշտ չիպերի դիզայնի չիպային դիզայնի օգնությունը:
3. Սիլիկոնային - բարձրացնող
Սիլիցիումը բաժանվելուց հետո մնացած նյութերը լքվում են:Մաքուր սիլիցիումը մի քանի քայլերից հետո հասել է կիսահաղորդիչների արտադրության որակի:Սա այսպես կոչված էլեկտրոնային սիլիցիումն է։
4. Սիլիկոնային ձուլման ձուլակտորներ
Մաքրումից հետո սիլիցիումը պետք է գցվի սիլիկոնային ձուլակտորների մեջ:Էլեկտրոնային կարգի սիլիցիումի մեկ բյուրեղը ձուլակտորի մեջ գցվելուց հետո կշռում է մոտ 100 կգ, իսկ սիլիցիումի մաքրությունը հասնում է 99,9999%-ի։
5. Ֆայլերի մշակում
Սիլիցիումի ձուլակտորը ձուլելուց հետո ամբողջ սիլիցիումի ձուլակտորը պետք է կտրվի կտորների, ինչը այն վաֆլի է, որը մենք սովորաբար անվանում ենք վաֆլի, որը շատ բարակ է:Այնուհետև վաֆլը փայլեցնում է մինչև կատարյալը, և մակերեսը հարթ է, ինչպես հայելին:
Սիլիկոնային վաֆլիների տրամագիծը 8 դյույմ (200 մմ) և 12 դյույմ (300 մմ) է:Որքան մեծ է տրամագիծը, այնքան ցածր է մեկ չիպի արժեքը, բայց այնքան բարձր է մշակման դժվարությունը:
5. Ֆայլերի մշակում
Սիլիցիումի ձուլակտորը ձուլելուց հետո ամբողջ սիլիցիումի ձուլակտորը պետք է կտրվի կտորների, ինչը այն վաֆլի է, որը մենք սովորաբար անվանում ենք վաֆլի, որը շատ բարակ է:Այնուհետև վաֆլը փայլեցնում է մինչև կատարյալը, և մակերեսը հարթ է, ինչպես հայելին:
Սիլիկոնային վաֆլիների տրամագիծը 8 դյույմ (200 մմ) և 12 դյույմ (300 մմ) է:Որքան մեծ է տրամագիծը, այնքան ցածր է մեկ չիպի արժեքը, բայց այնքան բարձր է մշակման դժվարությունը:
7. Խավարում և իոնների ներարկում
Նախ անհրաժեշտ է կոռոզիայի ենթարկել սիլիցիումի օքսիդը և սիլիցիումի նիտրիդը, որոնք բացահայտված են ֆոտոռեզիստենտից դուրս, և նստեցնել սիլիցիումի շերտը, որպեսզի մեկուսացվի բյուրեղյա խողովակի միջև, այնուհետև օգտագործվի փորագրման տեխնոլոգիան՝ ներքևի սիլիցիումը բացահայտելու համար:Այնուհետև բորը կամ ֆոսֆորը ներարկեք սիլիցիումի կառուցվածքի մեջ, այնուհետև լցրեք պղինձը, որպեսզի միացվի այլ տրանզիստորների հետ, ապա դրա վրա սոսինձի մեկ այլ շերտ քսեք՝ կառուցվածքի շերտ ստեղծելու համար։Ընդհանուր առմամբ, չիպը պարունակում է տասնյակ շերտեր, ինչպես խիտ միահյուսված մայրուղիները:
7. Խավարում և իոնների ներարկում
Նախ անհրաժեշտ է կոռոզիայի ենթարկել սիլիցիումի օքսիդը և սիլիցիումի նիտրիդը, որոնք բացահայտված են ֆոտոռեզիստենտից դուրս, և նստեցնել սիլիցիումի շերտը, որպեսզի մեկուսացվի բյուրեղյա խողովակի միջև, այնուհետև օգտագործվի փորագրման տեխնոլոգիան՝ ներքևի սիլիցիումը բացահայտելու համար:Այնուհետև բորը կամ ֆոսֆորը ներարկեք սիլիցիումի կառուցվածքի մեջ, այնուհետև լցրեք պղինձը, որպեսզի միացվի այլ տրանզիստորների հետ, ապա դրա վրա սոսինձի մեկ այլ շերտ քսեք՝ կառուցվածքի շերտ ստեղծելու համար։Ընդհանուր առմամբ, չիպը պարունակում է տասնյակ շերտեր, ինչպես խիտ միահյուսված մայրուղիները:
Հրապարակման ժամանակը՝ հուլիս-08-2023